Технические характеристики IRFD9220,P MOSFET -200В -0.56А защ
Корпус
HEXDIP
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-200 В
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
1500 мОм
Крутизна характеристики S,мА/В
550 мА/В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А
-0.56 А
Пороговое напряжение на затворе, B
-4 B
Внимание!
Информация, представленная на данном сайте, носит информационный характер. За более точной информацией обращайтесь к официальным документам (datasheet).
